Перейти к основному содержанию

ОКПД код 24.66.43. Элементы химические легированные в форме дисков и соединения химические легированные, используемые в электронике

ОКПДОбщероссийский классификатор продукции по видам экономической деятельности
2007ОК 034-2007 (КПЕС 2002), действует с 01.01.2008 по 31.12.2015
15-37Раздел D. ПРОДУКЦИЯ ОБРАБАТЫВАЮЩИХ ПРОИЗВОДСТВ
24Подраздел DG. ВЕЩЕСТВА ХИМИЧЕСКИЕ, ПРОДУКТЫ ХИМИЧЕСКИЕ И ВОЛОКНА ХИМИЧЕСКИЕ
24Вещества химические, продукты химические и волокна химические
24.6Продукты химические прочие
24.66Продукты химические, не включенные в другие группировки, прочие
24.66.4Продукты разные химические прочие
24.66.43Элементы химические легированные в форме дисков и соединения химические легированные, используемые в электронике
24.66.43.110Кремний легированный в форме дисков, пластин или в аналогичных формах для использования в электронике
24.66.43.120Элементы химические (кроме кремния) в форме дисков, пластин или в аналогичных формах и соединения химические легированные, используемые в электронике (кроме легированного кремния)
Эта группировка включает:
- элементы химические (например, кремний или селен), легированные (например, бором или фосфором), предназначенные для использования в электронике, при условии, что они имеют форму дисков, пластин или аналогичные формы
- соединения химические (например, селенид кадмия, арсенид индия), легированные (например, германием, йодом), предназначенные для использования в электронике, независимо от того, выполнены ли они в форме цилиндров, прутков и т.п. или разрезаны на диски, пластины или аналогичные формы
Эта группировка также включает:
- кристаллы этих химических веществ шлифованные или нешлифованные, в том числе с нанесенным однородным эпитаксиальным слоем
Эта группировка не включает:
- элементы химические легированные для использования в электронике в форме цилиндров, прутков и т.п. (см. 24.13.11)
- арсениды галлия и индия нелегированные, антимонид индия (см. 24.13.42)
- фосфиды галлия и индия нелегированные (см. 24.13.54)
- кристаллы, обработанные более интенсивно (например, селективной диффузией), рассматриваемые как полупроводниковые устройства (см. 32.10.5)